技術簡介
本計劃利用SiGe異質接面的材料特性,來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor),進一步應用在光偵測器(optical detector)上,以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低,可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢,致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計,可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體,其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構,取其製程簡單且易與CMOS製程整合的特點,以便於後續單晶片模組的進一步整合。
Abstract
Through the SiGe hetero junction property, ERSO produced ultra high speed bipolar transistor to apply on optical detector. SiGe had low cost advantage & compatible to existing BiCMOS process, can produce the 160GHz SiGe HBT. By using Single-Poly Non-Self-Aligned structure, it is easily to integrate the CMOS process to further single chip module development.
技術規格
· 電流增益(Current Gain, hFE):>100
· 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq
· 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT):> 120 GHz
· 最大操作頻率(Maxima operation frequency) :> 40 GHz
· 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO):> 3.5 Volt.
Technical Specification
· Current Gain, hFE:>100
· Pinched Base Resistance, RBS,P:< 8 Kohm/sq
· Cut-Off Frequency, fT:> 120 GHz
· Maximum operation frequency:> 40 GHz
· Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO:> 3.5 Volt.
技術特色
· 速度快 Highspeed,可滿足不同需求
· 簡易性 Simplicity,產品製程簡單
· 相容性佳 Compatibility,與CMOS製程相容
· 均勻性佳 Uniformity,元件電性均勻度高
應用範圍
· 矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique)
· 射頻積體電路(RFIC):應用於無線通訊系統與高速區域網路系統,提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術
· 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS)
· 光偵測器,光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
接受技術者具備基礎建議(設備)
具矽元件開發能力之半導體廠
接受技術者具備基礎建議(專業)
CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
聯絡資訊
聯絡人:鍾佩翰 企畫與推廣組
電話:+886-3-5912777 或 Email:stephen.chung@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
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