技術簡介
相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心,本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
Abstract
Because of its non-volativity、non-destructive reading、fast access speed、high integration、high reliability、low power consumption & strong radiation resistance, Phase Change Memory had its potential to put into market after the massive Flash、SRAM、DRAM.
技術規格
1.薄膜阻值變化率>102
2.相變化時間<100ns
Technical Specification
Thin film resistivity for phase change>102
Time period for phase change<100ns
技術特色
利用下電極所產生的熱能來作為控制相變化薄膜阻值轉變的技術
應用範圍
傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
接受技術者具備基礎建議(設備)
具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
接受技術者具備基礎建議(專業)
CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
聯絡資訊
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