技術簡介
在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題,具有提昇性能的特性,主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術,以建立起CMOS製程與元件技術平台,提昇載子移動率和元件效能,使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
Abstract
Based on the same technology node, strained-Si CMOS has the advantages of mobility enhancement to overcome the issues of mobility degradation due to scaling down.. To breakthrough the bottlenecks of the strained-Si CMOS technology - high quality SiGe virtual substrate formation and device structure design/integration including global and local strain, the platform of high performance CMOS process/device with mobility enhancement will be developed for the high-end SoC product.
技術規格
矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2
載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
Technical Specification
SiGe Virtual Substrate – thickness < 1.0um, threading dislocation density < 104~5/cm2
Carrier mobility enhancement – electron > 70%, hole > 60%
技術特色
高品質矽鍺虛擬基材的形成技術
全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術
應用範圍
1.高效能CMOS製程技術
2.高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
接受技術者具備基礎建議(設備)
具CMOS元件開發能力之半導體廠
接受技術者具備基礎建議(專業)
CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
聯絡資訊
聯絡人:鍾佩翰 奈米電子技術組
電話:+886-3-5912777 或 Email:stephen.chung@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
傳真:+886-3-5917690