工業技術研究院

技術簡介

(製程技術請說明所包含之各單元技術，單元技術則免填) 使用較低成本之矽晶片材料及利用簡單可量產的製程技術如網印燒結法製作金屬電極方式來製作低成本、高效率的單晶矽太陽電池。電池結構和製程簡單可適合大量生產。可運用於一般消費性電子產品之電源或發電系統上。

Abstract

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技術規格

4、5吋之方型單晶矽及多晶矽太陽電池，開路電壓(Voc)≧0.6V，光電流密度(Jsc)≧34mA/cm^2，單晶矽轉換效率≧16%、多晶矽轉換效率≧14%。

Technical Specification

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技術特色

1.製程簡單：以擴散爐製作p/n接面，以網印燒結法製作金屬電極。 2.材料便宜：用較低成本之Solar grade矽晶片或reclaimed IC wafer。

應用範圍

1.可發電之太陽電池模板。 2.發電系統。 3.照明、通訊、交通工具等電力供應。 4.消費性電子產品之電源。

接受技術者具備基礎建議（設備）

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接受技術者具備基礎建議（專業）

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