技術簡介
藉由奈米分散技術、軟質binder 之導入、流變特性之調控以及網印條件最佳化技術，完成具優良撓曲性的可印製式高介電電容材料其DK≧20
Abstract
none
技術規格
可撓式網印型高介電基板材料 電性：DK＞20，DF＜0.035
Technical Specification
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技術特色
結合印製式天線技術，可以將電容內埋取代SMT電容，縮小面積，降低SMT製程成本、提高可靠度，同時增加其產品應用範圍。
應用範圍
(軟性)印刷電路板內藏電容基板、天線縮小化基板
接受技術者具備基礎建議（設備）
有機/無機混成分散設備、網印機台
接受技術者具備基礎建議（專業）
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聯絡資訊
聯絡人：楊偉達 電子材料及元件研究組
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