工業技術研究院

技術簡介

市售處理半導體製程尾氣之SiH4的裝置，以電熱氧化腔(electro-heating/thermal type)及燃料燃燒腔(combustion type)居多，其原本非針對SiH4熱氧化設計，乃為處理全氟化物設計，該設計操作溫度範圍在800-1000℃，操作耗能偏高。本技術針對SiH4反應動力模式進行實驗研究，依據實驗的反應動力模式設計節能之電熱氧化腔，得操作在350℃-600℃，處理風量可大至300lpm，且可預處理微粒問題。相較於市售商品，就操作降低溫度有其進步性，就依據SiH4反應模式及微粒預處理設計部分具有新穎性。

Abstract

A device for oxidizing by electric heater is disclosed, which comprises: a hollow combustion portion provided with at least one gas inlet for entrance, at least one gas outlet for exit and at least one particle collection opening; a particle collection portion connecting to said combustion portion via said particle collection opening; at least one guiding plate positioned in said combustion portion; and at least one heating pipe positioned in said combustion portion; wherein said gas inlet, guiding plate, heating pipe and gas outlet are arranged properly so that the gas in the combustion portion will be heated and oxidized uniformly.

技術規格

處理或加熱風量範圍30-300lpm，處理SiH4濃度可達1.4％。

Technical Specification

Exhaust gas flow rate:30-300lpm, treatment for SiH4 up to 1.4％

技術特色

1.SiH4宏觀反應的反應動力模式，及其架構模式之觀念，該設計不侷限於處理SiH4，亦可針對待處理氣體種類。 2.本裝置不侷限於處理工業製程尾氣，亦可應用於氣流加熱(或預熱)使用。

應用範圍

該設計應用於半導體產業、光電產業、太陽能電板產業、軟性電子產業之尾氣處理，得應用於單一處理裝置；亦可結合其他處理套裝裝置，為該裝置之一部分。

接受技術者具備基礎建議（設備）

半導體產業、光電產業、太陽能電板產業、軟性電子產業之製程所排放之廢氣處理設備單元。

接受技術者具備基礎建議（專業）

光電、半導體業及其局部處理設備(local scrubber)供應商。

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