技術簡介
以ab initio方法計算與預測透明氧化物摻雜其他元素後電性
Abstract
技術規格
ZnO, SnO2, In2O3, GdO, Ga2O3的摻雜
Technical Specification
the dopant of ZnO, SnO2, In2O3, GdO, Ga2O3
技術特色
在實驗前可以先預測與設計
應用範圍
應用於晶體 非晶體材料
接受技術者具備基礎建議（設備）
需PC cluster
接受技術者具備基礎建議（專業）
物理
聯絡資訊
聯絡人：邱顯浩 前瞻材料基磐技術組
電話：+886-3-5913104 或 Email：SHChiou@itri.org.tw
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