技術簡介
利用濺渡的方式沉積CIGS太陽電池用之電極如鉬背電極與AZO上電極，目前可濺鍍面積約37cm*47cm的基板面積
Abstract
Using sputter deposition technology to fabricated Mo and AZO
electrode on 37cm by 47cm substrate
技術規格
總厚度約700 nm，片電阻分佈於0.3 ~ 0.4 Ω/sq間之金屬鉬背電極薄膜與約 450 nm 的AZO層厚度，穿透度大於85％ ，片電阻可低於35Ω/□ 。
Technical Specification
The thickness of Mo layer and AZO is 700nm and 500nm,respectively. The sheet resistance of Mo layer and AZO is 0.3 ~ 0.4 Ω/sq and 35Ω/sq, respectively.
技術特色
CIGS太陽電池之上下電極須具備高導電性以及高附著性，本技術可利用參數調整等方式來滿足CIGS在元件製作過程中所需上下電極特性，如耐硒化或高穿透度等。
應用範圍
可應用範圍: 1.太陽能電廠 2.屋頂電池 3.BIPV 4.可撓曲電池 5.攜帶型充電設備。
接受技術者具備基礎建議（設備）
材料、化工、真空濺鍍及太陽光電基礎
接受技術者具備基礎建議（專業）
材料、化工、真空濺鍍及太陽光電基礎
聯絡資訊
聯絡人：謝東坡 太陽光電技術組
電話：+886-6-3636816 或 Email：TP＠itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
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