技術簡介
針對非真空或真空等各種CIGS製程,自緩衝層起直至元件製作完成之所有製程含效率量測
Abstract
This technology is focus on the processes fabricated from CBD process to the end of cell efficiency analysis.
技術規格
緩衝層及i-ZnO厚度各約50nm, AZO厚度約500nm以下,片電阻30Ω/□
Technical Specification
The thickness of buffer and i-ZnO layer is 50nm respectively, the thickness of AZO layer is about 500nm, the sheet resistance can achieve 30Ω/□
技術特色
緩衝層的覆蓋率高,厚度均勻性佳,TCO(i-ZnO/AZO)鍍膜厚度均勻,電性佳
應用範圍
可應用範圍: 1.太陽能電廠 2.屋頂電池 3.BIPV 4.可撓曲電池 5.攜帶型充電設備。
接受技術者具備基礎建議(設備)
材料、化工、真空濺鍍及太陽光電基礎
接受技術者具備基礎建議(專業)
材料、化工、真空濺鍍及太陽光電基礎
聯絡資訊
聯絡人:謝東坡 太陽光電技術組
電話:+886-6-3636816 或 Email:TP@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
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