技術簡介
本技術提供一個完整的CIGS太陽電池元件製作平台在各段製程中廠商可挑選欲驗證之製程進行廠商端之材料或設備之比較
Abstract
This technology can provide all the processes in CIGS manufacture flow.
Every company can compare their materials or equipments with ITRI’s processes.
技術規格
在10cmx10cm的基板面積下針對Mo電極、吸收層(含真空或非真空)、緩衝層、透明窗層等各段CIGS必備製程提供製程材料或設備之比較
Technical Specification
substrate size: 10cm by 10 cm, process include: Mo, CIGS precursor, buffer layer, TCO..etc processes.
技術特色
本技術具備從基板製元件製作完成之所有CIGS必需製程且吸收層可包括真空製程以及非真空製程
應用範圍
可應用範圍: 1.太陽能電廠 2.屋頂電池 3.BIPV 4.可撓曲電池 5.攜帶型充電設備。
接受技術者具備基礎建議（設備）
材料、化工、真空濺鍍及太陽光電基礎
接受技術者具備基礎建議（專業）
材料、化工、真空濺鍍及太陽光電基礎
聯絡資訊
聯絡人：謝東坡 太陽光電技術組
電話：+886-6-3636816 或 Email：TP＠itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：