工業技術研究院

技術簡介

利用低溫製作異質材料磊晶於矽基板上，解決LED基板成本過高問題。

Abstract

none

技術規格

SiC 或 SiGe磊晶於矽基板上

Technical Specification

none

技術特色

1.低成本 2.低溫製程 3.可大面積 2.材料負固定電荷>2×1012cm-2 3.表面缺陷密度< 1011 eV-1cm-2 4.可量產大面積製程

應用範圍

材料及光電相關產業

接受技術者具備基礎建議（設備）

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接受技術者具備基礎建議（專業）

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