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工業技術研究院

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技術名稱: 矽晶片單面結構蝕刻技術

技術簡介

為了解決矽晶電池需製作雙面不同結構的問題,因此開發低成本之新材料及製程,結合蝕刻材料及製程特性,製作成不易流動的蝕刻材料。

Abstract

none

技術規格

-表面織化結構反射率:< 12% -表面拋光結構表面粗糙度:<300nm

Technical Specification

none

技術特色

1.單面結構化製程 2.低溫蝕刻製程<100℃ 3.蝕刻快速< 2min/pc 4.可量產大面積製程

應用範圍

材料及光電相關產業

接受技術者具備基礎建議(設備)

none

接受技術者具備基礎建議(專業)

none

技術分類 電子有機材料

聯絡資訊

聯絡人:孫文檠 電子材料及元件研究組

電話:+886-3-5913360 或 Email:emily_huang@itri.org.tw

客服專線:+886-800-45-8899

傳真:+886-3-5820386