技術簡介
為了解決矽晶電池需製作雙面不同結構的問題，因此開發低成本之新材料及製程，結合蝕刻材料及製程特性，製作成不易流動的蝕刻材料。
Abstract
none
技術規格
-表面織化結構反射率：< 12%
-表面拋光結構表面粗糙度：<300nm
Technical Specification
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技術特色
1.單面結構化製程
2.低溫蝕刻製程<100℃
3.蝕刻快速< 2min/pc
4.可量產大面積製程
應用範圍
材料及光電相關產業
接受技術者具備基礎建議（設備）
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接受技術者具備基礎建議（專業）
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聯絡資訊
聯絡人：孫文檠 電子材料及元件研究組
電話：+886-3-5913360 或 Email：emily_huang@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：+886-3-5820386