技術簡介
半導體製程往往在無機薄膜製作圖形化,使用昂貴製程包括黃光製程、雷射、蝕刻膠和硬遮罩法圖形化,其中黃光和雷射具有設備昂貴等缺點,蝕刻膠和硬遮罩法則有殘留物等問題。本計畫開發低成本高速度新穎圖形化技術,可在極短時間內蝕刻去除各種半導體製程常用之鈍化膜(SiNx、SiO2 、Al2O3等),可圖形化蝕刻出點狀或線狀等圖形 。
Abstract
none
技術規格
在<100 ℃ ,蝕刻厚度100nm,孔徑50 μm之SiNx。
Technical Specification
none
技術特色
1.無塞網版及殘膠去除不易的問題
2.低溫蝕刻製程<100℃
3.蝕刻快速<3min/pc
4.可量產大面積製程
應用範圍
材料及光電相關產業
接受技術者具備基礎建議(設備)
none
接受技術者具備基礎建議(專業)
none
聯絡資訊
聯絡人:孫文檠 電子材料及元件研究組
電話:+886-3-5913360 或 Email:swc416@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
傳真:+886-3-5820386