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工業技術研究院

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技術名稱: 無機薄膜圖形化技術

技術簡介

半導體製程往往在無機薄膜製作圖形化,使用昂貴製程包括黃光製程、雷射、蝕刻膠和硬遮罩法圖形化,其中黃光和雷射具有設備昂貴等缺點,蝕刻膠和硬遮罩法則有殘留物等問題。本計畫開發低成本高速度新穎圖形化技術,可在極短時間內蝕刻去除各種半導體製程常用之鈍化膜(SiNx、SiO2 、Al2O3等),可圖形化蝕刻出點狀或線狀等圖形 。

Abstract

none

技術規格

在<100 ℃ ,蝕刻厚度100nm,孔徑50 μm之SiNx。

Technical Specification

none

技術特色

1.無塞網版及殘膠去除不易的問題 2.低溫蝕刻製程<100℃ 3.蝕刻快速<3min/pc 4.可量產大面積製程

應用範圍

材料及光電相關產業

接受技術者具備基礎建議(設備)

none

接受技術者具備基礎建議(專業)

none

技術分類 電子有機材料

聯絡資訊

聯絡人:孫文檠 電子材料及元件研究組

電話:+886-3-5913360 或 Email:swc416@itri.org.tw

客服專線:+886-800-45-8899

傳真:+886-3-5820386

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