工業技術研究院

技術簡介

1.專利獲證的低熔點金屬熱界面材料，可隨客戶需求，調整該金屬的起始熔解溫度，攝氏40度至143度。 2. 低熔點金屬熱界面材料，相對導熱膏具有3倍熱傳導性能 3. 箔片成形，可由液態低熔點金屬直接成形長、寬各約10公分、厚度約50微米低熔點金屬箔片。4. 專利獲證金屬熱界面材料，可抑制液態金屬溢流接合元件間之界面外

Abstract

none

技術規格

1. 組成不含鉛、鎘之低熔點金屬箔片 2. 起始熔點可隨意操控，攝式40度至143度之低熔點金屬箔片 3部分熔解相變化時，.低熔點金屬箔片界面熱阻抗0.05 ℃.cm2/ W，展現約3倍導熱膏的界面熱傳導性能

Technical Specification

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技術特色

1. 熔點可操控之低熔點金屬箔片，可最佳對應不同熱界面需求之發熱元件 2. 低熔點金屬箔片起始熔點，可隨意操控攝式40度至143度 3.低熔點金屬箔片部分熔解相變化時，界面熱阻抗0.05 ℃.cm2/ W，展現約3倍導熱膏的界面熱傳導性能

應用範圍

半導體發熱晶片至散熱器之所有導熱界面應用， 包含裸晶片和封裝均熱片間之第一階熱界面，和封裝晶片之均熱片和散熱器間之第二階熱界面

接受技術者具備基礎建議（設備）

none

接受技術者具備基礎建議（專業）

材料、機械

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