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工業技術研究院

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技術名稱: 電鏡三維斷層掃瞄顯像技術

技術簡介

包含TEM斷層掃描與SEM/FIB斷層掃描,可應用於產生特徵尺寸約在10奈米 ~ 10微米範圍間之樣品的三維結構影像模型。

Abstract

This technique including TEM Tomography and SEM/FIB Tomography is able to produce the 3D structural visualization models of samples with characteristic size range from around 10 nm to 10 μm.

技術規格

斷層掃描取像特徵尺寸: 10 nm ~ 10 μm

Technical Specification

characteristic size for tomography: 10 nm ~ 10 μm

技術特色

微/奈米尺度之三維分析

應用範圍

材料微結構/微化學分析、半導體元件結構分析

接受技術者具備基礎建議(設備)

TEM、FIB/SEM

接受技術者具備基礎建議(專業)

材料、物理、化學、化工

技術分類 材料分析

聯絡資訊

聯絡人:羅聖全 前瞻材料基磐技術組

電話:+886-3-5915296 或 Email:alexsclo@itri.org.tw

客服專線:+886-800-45-8899

傳真:+886-3-5910086