工業技術研究院

技術簡介

一般金屬、陶瓷、半導體、高分子等材料領域之微觀組織、成份、發光特性研究。奈米材料、奈米元件之形貌、結構分析。IC半導體、封裝、光碟、LED等光電相關產業之破壞、故障分析等

Abstract

none

技術規格

Gun：In-lens Thermal Field Emission Gun(Schottky type)Resolution：1.5nm(at 15kV)，5.0nm(at 1.0kV)(SEI Image)Operation Voltage：0.5~30kV；Probe Current：200nA Max. Specimen Stage：Eucentric, X=70mm，Y=50mm，Z=23.5mm(WD=3~41mm), T=-5~65°，R=360°Max.Specimen Size：150mm dia*10mm H

Technical Specification

Gun：In-lens Thermal Field Emission Gun(Schottky type)Resolution：1.5nm(at 15kV)，5.0nm(at 1.0kV)(SEI Image)Operation Voltage：0.5~30kV；Probe Current：200nA Max. Specimen Stage：Eucentric, X=70mm，Y=50mm，Z=23.5mm(WD=3~41mm), T=-5~65°，R=360°Max.Specimen Size：150mm dia*10mm H

技術特色

a).EDS用於成份分析，包括定性、半定量、特定區 域化學元素之mapping及line?scan等 ;b).CL用於發光光譜量測、影像分析、微量雜質、缺陷分析;c).EBSD用於多晶材料之晶體結構、取向、微區織構、晶粒、晶界性質分析等;

應用範圍

應用於任何產業

接受技術者具備基礎建議（設備）

應用於任何產業

接受技術者具備基礎建議（專業）

.材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

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