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工業技術研究院

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技術名稱: 新興三維記憶體(MRAM)元件技術

技術簡介

垂直磁式自旋傳輸記憶體元件開發, 包含垂直磁化材料特性研究、微磁學模擬研究、以及元件設計與驗證。

Abstract

none

技術規格

MTJ CD≦50nm,Switching≦50ns, Vc≦0.6V,Ic≦80uA

Technical Specification

none

技術特色

本提案之標的是磁性記憶體技術,磁性記憶體具備操作電壓低、快速啟動與讀取、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及非破壞性讀取等優勢,是目前唯一能與具備低成本競爭力的動態存取記憶體(DRAM)對抗的非揮發性記憶體。期待磁性記憶體技術商品化之後,將提高廠商之國際競爭性。

應用範圍

IDM或記憶體製造廠商

接受技術者具備基礎建議(設備)

Lithography、Etching、PVD等

接受技術者具備基礎建議(專業)

須具半導體製造能力,或相關應用之設計能力。

技術分類 奈米科技

聯絡資訊

聯絡人:張順賢 奈米電子技術組

電話:+886-3-5913917 或 Email:shchang@itri.org.tw

客服專線:+886-800-45-8899

傳真:+886-3-5917690