技術簡介
垂直磁式自旋傳輸記憶體元件開發， 包含垂直磁化材料特性研究、微磁學模擬研究、以及元件設計與驗證。
Abstract
none
技術規格
MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，
Vc≦0.6V，Ic≦80uA
Technical Specification
none
技術特色
本提案之標的是磁性記憶體技術，磁性記憶體具備操作電壓低、快速啟動與讀取、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及非破壞性讀取等優勢，是目前唯一能與具備低成本競爭力的動態存取記憶體(DRAM)對抗的非揮發性記憶體。期待磁性記憶體技術商品化之後，將提高廠商之國際競爭性。
應用範圍
IDM或記憶體製造廠商
接受技術者具備基礎建議（設備）
Lithography、Etching、PVD等
接受技術者具備基礎建議（專業）
須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力。
聯絡資訊
聯絡人：張順賢 奈米電子技術組
電話：+886-3-5913917 或 Email：shchang@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：+886-3-5917690