工業技術研究院

技術簡介

開發可適用於堆疊式交互陣列架構的 RRAM元件(X-point RRAM, 1S1R device) ，以應用在高密度儲存式記憶體領域。

Abstract

none

技術規格

交互陣列結構開發 雙向選擇器開發 電性量測技術開發 I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA， Cell size≦4F^2，Half pitch ≦0.18um

Technical Specification

none

技術特色

本提案之標的是電阻式記憶體技術，電阻式記憶體具備操作電壓低、快速啟動與讀取、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及非破壞性讀取等優勢，是目前唯一能與具備低成本競爭力的快閃記憶體(Flash)對抗的非揮發性記憶體。因此，雖然電阻式記憶體離商品化還有一段距離，但是三星、松下、…等國際大廠已積極進行研發，紛紛推出雛形產品，由此可見電阻式記憶體技術商品化之後，將深具市場潛力及競爭性。

應用範圍

IDM或記憶體製造廠商

接受技術者具備基礎建議（設備）

Lithography、Etching、PECVD、PVD、ECD、CMP 等

接受技術者具備基礎建議（專業）

須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力

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