技術簡介
建立高效能的可測試性設計，以期使用低的測試時間達到高的瑕疵涵蓋率與定位能力。
Abstract
none
技術規格
read disturb and data retention mechanism for 1D1R cell
endurance failure mechanism for 1D1R cell (Degradation of unit cell in 10K cycles)
Technical Specification
none
技術特色
本提案中的固態記憶體測試技術主要用於電阻式記憶體良率之提升，因此，將和電阻式記憶體的市場同步發展，增加產品的競爭力。
應用範圍
半導體設計公司、IDM或記憶體製造廠商
接受技術者具備基礎建議（設備）
須具半導體使用之量測機台操作能力
接受技術者具備基礎建議（專業）
須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力。
聯絡資訊
聯絡人：張順賢 奈米電子技術組
電話：+886-3-5913917 或 Email：shchang@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
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