工業技術研究院

技術簡介

開發濕式晶種層技術取代傳統乾式濺鍍或PVD製程，能於深寬比20之孔洞內形成均勻之晶種層沉積。銅電鍍技術，能於直徑25um、深度500μm，深寬比大於20之孔洞內完成銅填孔沉積，而無任何孔隙或包孔。

Abstract

To replace traditional sputtering or PVD fabrication by developing seed crystal layer technology. The aspect ratio of 20 and uniform deposition can be achieved. Copper plating technology can completely deposit the voids with aspect ratio 20, diameter 25um, and depth 500um.

技術規格

(a)孔徑：15~100 μm；(b)深寬比 AR≧20；(c) 基板最大尺寸: 510x515 mm； (d)玻璃載體厚度: 300-1000 μm。

Technical Specification

(a)TGV diameter：15~100 μm；(b) AR (aspect ratio) ≧20；(c) Maximum substrate size : 510x515 mm； (d)glass thickness: 300-1000 μm

技術特色

開發全濕式金屬化鍍膜設備與材料，取代傳統PVD製程，克服高深寬比(AR＞20)之鍍膜不連續的限制，建立面板級高深寬比金屬附著層、晶種層與電鍍銅材料與設備整合技術，大幅降低設備與製程成本達30％，可應用於半導體中介板與載板產業的應用。

應用範圍

半導體中介板與載板、MEMS、µ-LED

接受技術者具備基礎建議（設備）

電鍍與無電鍍設備

接受技術者具備基礎建議（專業）

材料、化學、機械

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