工業技術研究院

技術簡介

在整合下世代大功率應用模組薄型輕便化封裝製程時，為因應能源有效利用，需提高元件轉換功率，提高散熱需求、整合輕量化基板及高可靠導體連結材料技術，本技術開發了具有高導熱及耐高溫之無鉛低溫銀接著材料，該材料在低溫低壓下可達高接著強度、高熱導特性以及高可靠度。並建立了功率基板流程，完成整合各層材料，改善介面相容問題，增加材料之接著強度及熱傳導能力。

Abstract

none

技術規格

接著溫度260~300 ℃，接著強度 > 20MPa，K > 200 W/(m-K)

Technical Specification

none

技術特色

本材料特色在於低的製程溫度(260~300 ℃)，可以耐大於300 ℃以上的高溫環境。透過連接材料系統的耐候性能，結合功率晶片SiC晶片封裝製程技術或創新既有照明產品的應用技術。

應用範圍

材料、光電和電源模組相關產業

接受技術者具備基礎建議（設備）

材料製備：化學合成設備、三滾筒、網印機、燒結爐。◎材料特性檢測設備：流變儀、熱偶溫度計、拉力試驗機、熱傳導特性測試系統、溫度衝擊設備、恆溫恆濕箱。

接受技術者具備基礎建議（專業）

材料、化工、電機電子、化學

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