技術簡介
本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
Abstract
Low defect sacritical.Amorphous Silicon Layer thin with low temperature and electronic circuit integrated advantages
技術規格
製程溫度 : 300°C
薄膜厚度 >2um
Technical Specification
Process temperature:300 degree thin thickness: >2um
技術特色
低缺陷犧牲層 低溫製程 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
應用範圍
犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) 玻璃-玻璃接合介質材料
接受技術者具備基礎建議（設備）
半導體製程相關設備。
接受技術者具備基礎建議（專業）
半導體製程背景人才。
聯絡資訊
聯絡人：陳國彰 智慧微系統科技中心
電話：+886-6-3847136 或 Email：kerwin_c@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
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