工業技術研究院

技術簡介

利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。

Abstract

SCREAM portrays a relatively new micromaching approach and represents an important new technique from several points of view.It is a self-aligned single mask process,run at low-temperatures(<300degree)and completed in less than 8 hours that can be carried out in the presence of integrated circuitry on the same chip.

技術規格

結構高度(max.) : > 10 um、 寬度 : > 2 um、 結構間隙 : > 2 um、 深寬比 > 3

Technical Specification

Vertical depth > 10um Laterial width > 2um Aspectration > 3

技術特色

一道黃光微影 乾式之電漿反應式離子蝕刻、電漿輔助化學氣相沈積 金屬濺鍍 低溫製程與IC CMOS 製程相容

應用範圍

微致動器、微加速度計、微掃瞄器。

接受技術者具備基礎建議（設備）

PVD,CVD,RIE

接受技術者具備基礎建議（專業）

半導體製程背景人才。

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