技術簡介
提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
Abstract
Through water etching High aspect ratio etching
技術規格
矽蝕刻深度 > 525um
蝕刻率 > 4 um/min
蝕刻垂直度 > 89度
深寬比 > 30
Technical Specification
etching depth > 525um
etching rate > 4um/min
side wall angle > 89degree
Aspect ratio > 30
技術特色
可雙面不同尺寸之蝕穿 可蝕刻出噴墨孔與墨水槽之結構。
應用範圍
印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
接受技術者具備基礎建議（設備）
微機電製程及半導體設備。
接受技術者具備基礎建議（專業）
電機,半導體製程背景人才。
聯絡資訊
聯絡人：陳國彰 智慧微系統科技中心
電話：+886-6-3847136 或 Email：kerwin_c@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：+886-6-3847294