技術簡介
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Abstract
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技術規格
Via drilling : Taper Etch profile (深寬比 > 30 ;選擇比 > 60：1)
Seed layer : > 7:1 (Dia. 10mm; Deep 70mm)
Wafer bonding : Copper to Copper Temporary wafer bonding
Technical Specification
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技術特色
提供MEMS 元件、光電元件及電子元件等晶圓級封裝所需之製程封裝技術。
應用範圍
微機電元件，如麥克風 、加速度計 光電元件，如CMOS image sensor等 電子產品堆疊封裝，如DRAM等
接受技術者具備基礎建議（設備）
Mask aligner、 Sputter、 ICP
接受技術者具備基礎建議（專業）
半導體、材料、物理及電子等相關背景
聯絡資訊
聯絡人：陳國彰 智慧微系統科技中心
電話：+886-6-3847136 或 Email：kerwin_c@itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：+886-6-3847294