技術簡介
SiC MOSFET之元件設計、製程整合及驗證技術，包含：
1. 1200V/20A SiC 溝槽型 MOSFET元件設計與製程整合技術
2. 1200V20A SiC 溝槽型MOSFET元件測試驗證
Abstract
Device design, process integration and verification of SiC MOSFET, including:
1. Device design and process integration technology of 1200V/20A SiC Trench MOSFET
2. Device verification technology of 1200V/20A SiC Trench MOSFET
技術規格
ton < 200ns, toff < 200ns, tRR<200 ns
Technical Specification
ton < 200ns, toff < 200ns, tRR<200 ns
技術特色
本技術預計在2016完成研發，可提供授權廠商技術報告、諮詢及部分製程服務。
應用範圍
變壓器、電動汽車、馬達驅動器...等
接受技術者具備基礎建議（設備）
半導體元件之設計或製造相關設備
接受技術者具備基礎建議（專業）
半導體元件之設計或製造相關技術能力
聯絡資訊
聯絡人：張順賢(830122) 企畫與推廣組
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