技術簡介
國內產業研發電漿製程ICP-RIE相關機台,尚必須克服在電漿源奈米尺度製程穩定性。以螺旋線圈電極技術進行設計,並搭配電漿源模組模擬分析,達到電漿平坦化需求
Abstract
none
技術規格
螺旋線圈電場模擬與電極設計、電漿特性驗證測試平台、建構精密電漿蝕刻模組技術,ICP-RIE蝕刻電漿源模組,均勻度<5%,電漿密度>10^11 cm-3 ,電漿變異量<7%
Technical Specification
none
技術特色
國內產業研發電漿製程ICP-RIE相關機台,尚必須克服在電漿源奈米尺度製程穩定性。以螺旋線圈電極技術進行設計,並搭配電漿源模組模擬分析,達到電漿平坦化需求
應用範圍
可應用於高功率LED、MEMS、 3D-IC電漿表面處理及蝕刻製程設備
接受技術者具備基礎建議(設備)
電磁場耦合與電漿模擬分析技術,電漿源電極和匹配功率源,蝕刻電漿源模組
接受技術者具備基礎建議(專業)
材料化學、機械、電漿技術
聯絡資訊
聯絡人:林士欽 新興能源機械技術組
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