工業技術研究院

技術簡介

國內產業研發電漿製程ICP-RIE相關機台，尚必須克服在電漿源奈米尺度製程穩定性。以螺旋線圈電極技術進行設計，並搭配電漿源模組模擬分析，達到電漿平坦化需求

Abstract

none

技術規格

螺旋線圈電場模擬與電極設計、電漿特性驗證測試平台、建構精密電漿蝕刻模組技術，ICP-RIE蝕刻電漿源模組，均勻度<5%，電漿密度>10^11 cm-3 ，電漿變異量<7%

Technical Specification

none

技術特色

國內產業研發電漿製程ICP-RIE相關機台，尚必須克服在電漿源奈米尺度製程穩定性。以螺旋線圈電極技術進行設計，並搭配電漿源模組模擬分析，達到電漿平坦化需求

應用範圍

可應用於高功率LED、MEMS、 3D-IC電漿表面處理及蝕刻製程設備

接受技術者具備基礎建議（設備）

電磁場耦合與電漿模擬分析技術，電漿源電極和匹配功率源，蝕刻電漿源模組

接受技術者具備基礎建議（專業）

材料化學、機械、電漿技術

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