技術簡介
本技術透過雷射散射儀用於計算半導體晶圓的檢測方法及工具，在技術上散射光的亮度會隨雷射光入射角度變化
Abstract
This inspection method and system is the use of laser scattering for semiconductor wafers.
技術規格
可量測解析>500nm
Technical Specification
Defect Resolution> 500nm
技術特色
本技術透過雷射散射儀用於計算半導體晶圓的檢測方法及工具，在技術上散射光的亮度會隨雷射光入射角度變化
應用範圍
半導體產業
接受技術者具備基礎建議（設備）
散射圖譜擷取模組
接受技術者具備基礎建議（專業）
光學相關背景
聯絡資訊
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