工業技術研究院

技術簡介

本技術使用真空蒸鍍法製備非晶硒，作為直接轉換式X光平 板感測器之光電轉換層。透過蒸鍍製程參數的最佳化，使硒 厚膜達高光電轉換效率。

Abstract

We fabricated the amorphous selenium (a-Se) photoconductor, utilizing the vacuum evaporation technique. The components and fabrication parameters in the evaporator were optimized to form an a-Se thick layer which achieved high conversion efficiency.

技術規格

1.硒厚膜具非結晶相且厚度約達200 μm 2.對X光的靈敏度達216 pC cm-2 mR-1 3.高壓封裝使大尺寸硒厚膜應用於X光平板感測器可耐1200 V電壓而不損壞

Technical Specification

1.The selenium film is provide to amorphous phase and thickness of about 200 μm 2.The photo-responsivity induced by X-ray photons is about 216 pC cm-2 mR-1. 3.As to the package of high bias voltage in this large size FPD, the current method could stand about 1200 V applied to an a-Se layer with 200 μm thickness without causing damage.

技術特色

本技術使用製程參數最佳化使光電轉換層達高光電轉換效率，並對光電轉換層進行溫控程序使光/暗電流的表現皆具改善效果。

應用範圍

X光平板感測器的影像偵測端

接受技術者具備基礎建議（設備）

1.真空蒸鍍系統 2.電性量測設備：微電流表、高壓電源、示波器與訊號產生 器等

接受技術者具備基礎建議（專業）

1.真空鍍膜技術 2.半導體物理 3.材料分析技術

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