工業技術研究院

技術簡介

感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma, ICP)具高離子密度(1011cm-3)與低工作壓力(10-3torr)，可提供良好的蝕刻品質，本技術以「併聯式複數線圈」來降低駐波效應，製作大面積之低溫電漿模組；透過改變線圈距離，以調整電場分布，並搭配「可變噴嘴及多管路等分進氣模組」設計調整氣場分佈，提升電漿均勻度；在薄膜封裝製程製程中，利用高密度ICP進行有機層邊緣蝕刻，可使無機層完整覆蓋於有機層上，此舉阻止水氧由側邊侵入，提升軟性顯示器產品壽命。

Abstract

none

技術規格

1.)Panel size：370mm×470mm 2.)基板材質：Glass、PI 3.)對位精度：±10um 4.)製程溫度：＜100℃ 5.)均勻度：＜±5％

Technical Specification

none

技術特色

感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma, ICP)具高離子密度(1011cm-3)與低工作壓力(10-3torr)，可提供良好的蝕刻品質，本技術以「併聯式複數線圈」來降低駐波效應，製作大面積之低溫電漿模組；透過改變線圈距離，以調整電場分布，並搭配「可變噴嘴及多管路等分進氣模組」設計調整氣場分佈，提升電漿均勻度；在薄膜封裝製程製程中，利用高密度ICP進行有機層邊緣蝕刻，可使無機層完整覆蓋於有機層上，此舉阻止水氧由側邊侵入，提升軟性顯示器產品壽命。

應用範圍

本技術在薄膜封裝製程有機與無機層堆疊過程中，利用高密度ICP電漿、金屬遮罩與高精度對位系統進行有機層邊緣蝕刻，使無機層可完整覆蓋有機層以阻止水氧由側邊侵入。本計畫所發展電漿輔助乾蝕刻技術，用以建構軟性顯示所需之完整的低溫薄膜封裝系統，預計可將技術應用於軟性顯示器、OLED面板、表面光阻去除、乾蝕刻等方面。

接受技術者具備基礎建議（設備）

需整合電漿輔助乾蝕刻技術及有機薄膜封裝設備。

接受技術者具備基礎建議（專業）

需了解雷射相關專業知識者

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