技術簡介
.
Abstract
.
技術規格
電漿密度1011/cm^3,操作功率1~5KW,電漿面積可達900mmx600mm
Technical Specification
.
技術特色
自主開發高密度ICP-CVD電漿鍍膜技術,單一腔體連續製備SiOCH複合薄膜,具高阻水氣性、殊水硬化特性。
應用範圍
OLED封裝、車燈鍍膜、晶圓蝕刻
接受技術者具備基礎建議(設備)
RF-Generator & Matching,控壓Pump系統
接受技術者具備基礎建議(專業)
真空設備, 電漿製程, 薄膜分析
聯絡資訊
聯絡人:廖金二 L200
電話:+886-6-6939109 或 Email:artliao@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
傳真:none