工業技術研究院

技術簡介

晶圓精微檢測模組技術：建立雷射散射技術

Abstract

High quality wafers microscopic detection module technology: The establishment of laser light scattering technique

技術規格

(a)雷射波長：543 nm；(b)入射角：40度；(c)單點量測大小：≦50 μm；(d)缺陷分辨力：≦0.5μm；(e)缺陷分類：微粒，刮痕。

Technical Specification

Laser wavelength: 543 nm; (b) The angle of incidence: 40 degrees; (c) A single point measurement size: ≦ 50 μm ; (d) Defect resolution: ≦ 0.5μm; (e) Defect classification: particles, scratches.

技術特色

透過硬體關鍵模組的設計來提高整體量測精度，後端並分析散射光及偏極態圖譜演算法，建立粒徑尺寸的量測

應用範圍

表面微粒檢測

接受技術者具備基礎建議（設備）

光電半導體

接受技術者具備基礎建議（專業）

光學量測背景

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