工業技術研究院

技術簡介

完成開發 P-LTPS TFT 耐撓曲結構與製程，並搭配顯示中心自有開發之FlexUPTM基板技術，以實現軟性 LTPS-TFT元件及陣列技術。

Abstract

none

技術規格

1. 軟性 P-LTPS元件特性：mobility > 45 cm^2/Vs，S.S.< 0.45 V/dec.。 2. 製程溫度< 450℃。 3. 軟性LTPS-TFT 離型取下前後之Vth差異< 0.5V。 4. 經向外摺疊@ r=3mm/10萬次測試後，TFT特性差異<10%。

Technical Specification

none

技術特色

完成開發 P-LTPS TFT 耐撓曲結構與製程，並搭配顯示中心自有開發之FlexUPTM基板技術，以實現軟性 LTPS-TFT元件及陣列技術。

應用範圍

軟性智慧行動裝置

接受技術者具備基礎建議（設備）

具LTPS-TFT製程設備

接受技術者具備基礎建議（專業）

具LTPS-TFT陣列相關經驗之人員

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