工業技術研究院

技術簡介

以濺鍍之金屬膜層作為後續電鍍製程之Seed Layer，並輔以半加成法(Semi-additive Method)技術搭配面板級大面積電鍍設備進行厚膜銅電鍍製程，以達到大面積且均勻性高之銅導線需求。

Abstract

The sputtered metal film is used as a seed layer for the plating process. The semi-additive method and the panel-scale large-area plating equipment are used for the thick copper electroplating process to achieve large area and high uniformity.

技術規格

1. 高解析導線線寬/線距：2 μm/2 μm@ 370 mm × 470 mm Glass Size。 2. 銅導線厚度均勻性≧90 % ，電鍍可填孔孔徑 2 μm@ 370 mm × 470 mm Glass Size。 3. 可通過 85℃/85% R.H., 500小時後，無Open/Short，導線外觀無損傷，且導線與介電層介面附著力5B之導線結構可靠度驗證。 4. 可通過55℃/125℃循環 1,000次後，無Open/Short，導線外觀無損傷，且導線與介電層介面附著力5B之導線結構高低溫冷熱衝擊驗證。

Technical Specification

none

技術特色

以濺鍍之金屬膜層作為後續電鍍製程之Seed Layer，並輔以半加成法(Semi-additive Method)技術搭配面板級大面積電鍍設備進行厚膜銅電鍍製程，以達到大面積且均勻性高之銅導線需求。

應用範圍

高階晶片(高I/O數)

接受技術者具備基礎建議（設備）

大面積高均勻鍍銅設備

接受技術者具備基礎建議（專業）

顯示器電子產品相關背景人才

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