技術簡介
以濺鍍之金屬膜層作為後續電鍍製程之Seed Layer,並輔以半加成法(Semi-additive Method)技術搭配面板級大面積電鍍設備進行厚膜銅電鍍製程,以達到大面積且均勻性高之銅導線需求。
Abstract
The sputtered metal film is used as a seed layer for the plating process. The semi-additive method and the panel-scale large-area plating equipment are used for the thick copper electroplating process to achieve large area and high uniformity.
技術規格
1. 高解析導線線寬/線距:2 μm/2 μm@ 370 mm × 470 mm Glass Size。
2. 銅導線厚度均勻性≧90 % ,電鍍可填孔孔徑 2 μm@ 370 mm × 470 mm Glass Size。
3. 可通過 85℃/85% R.H., 500小時後,無Open/Short,導線外觀無損傷,且導線與介電層介面附著力5B之導線結構可靠度驗證。
4. 可通過55℃/125℃循環 1,000次後,無Open/Short,導線外觀無損傷,且導線與介電層介面附著力5B之導線結構高低溫冷熱衝擊驗證。
Technical Specification
none
技術特色
以濺鍍之金屬膜層作為後續電鍍製程之Seed Layer,並輔以半加成法(Semi-additive Method)技術搭配面板級大面積電鍍設備進行厚膜銅電鍍製程,以達到大面積且均勻性高之銅導線需求。
應用範圍
高階晶片(高I/O數)
接受技術者具備基礎建議(設備)
大面積高均勻鍍銅設備
接受技術者具備基礎建議(專業)
顯示器電子產品相關背景人才
聯絡資訊
聯絡人:李裕正 面板級製程應用技術組
電話:+886-3-5918395 或 Email:YZLee@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
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