技術簡介
本技術可提供半導體晶圓高速蝕刻製程，Si蝕刻速率＆gt;10＆＃181;m/min。
Abstract
This technology provide high etching rate for semiconductor etch process, the etch rateof Si wafer is higher than 10 ＆＃181;m/min.
技術規格
晶圓尺寸: 12吋晶圓、Si蝕刻率＆gt;10 ＆＃181;m/min
Technical Specification
-
技術特色
本技術可提供半導體晶圓高速蝕刻製程，Si蝕刻速率＆gt;10＆＃181;m/min。
應用範圍
半導體封裝、平面顯示器、光電及微機電產業
接受技術者具備基礎建議（設備）
微機電/半導體相關設備
接受技術者具備基礎建議（專業）
電漿、半導體製程、材料、化學
聯絡資訊
聯絡人：劉志宏 先進製造技術組
電話：+886-3-5917796 或 Email：stanliu＠itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：+886-3-5820043