技術簡介
(1)可微縮性、直接電流/電壓驅動、高速讀取等特性，並具解決MCU所需之嵌入式SRAM技術，廣泛應用在嵌入式系統。(2)成功設計新式元件結構與製程，並於SOT薄膜層精確控制鐵磁薄膜與絕緣MgO層厚度與均勻度，完成雛形元件開發。
Abstract
(1)1st use the standard 8 inch Si process line to complete the in-plane SOT MRAM devices.(2)The direct current or voltage to switching the SOT MRAM, no external magnetic field needed. (3)Novel structure and process for with low SHE metal resistance and high yield(4)Good wafer level distribution is obtained.
技術規格
新型元件結構與製程，相容 8吋半導體製程線。寫入電壓： Vc≦3V，記憶體讀寫時間：Write/ Read time ≦ 50ns。
Technical Specification
技術特色
應用範圍
非揮發性快取記憶體、嵌入式SRAM記憶體應用、IoT裝置硬體加密應用
接受技術者具備基礎建議（設備）
MRAM PVD、MRAM Etcher、Magnetic Furnace、MRAM Tester、其它 CMOS 製程相關設備
接受技術者具備基礎建議（專業）
半導體製程能力、IC電路設計、記憶體應用設計
聯絡資訊
聯絡人：江永欣
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