技術簡介
垂直磁式自旋傳輸記憶體元件開發， 包含垂直磁化材料特性研究、微磁學模擬研究、以及元件設計與驗證。
Abstract
Device development of the perpendicular spin-torque transfer RAM (pSTT-RAM), including the material properties of perpendicular magnetization material, micromagnetic simulation, device design and the verification.
技術規格
MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns， Vc≦0.6V，Ic≦80uA
Technical Specification
技術特色
應用範圍
IDM或記憶體製造廠商
接受技術者具備基礎建議（設備）
Lithography、Etching、PVD等
接受技術者具備基礎建議（專業）
須具半導體製造能力，或相關應用之設計能力。
聯絡資訊
聯絡人：張順賢
電話：+886-3-5913917 或 Email：shchang＠itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
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