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工業技術研究院

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技術名稱: 新興三維記憶體(MRAM)元件技術

技術簡介

垂直磁式自旋傳輸記憶體元件開發, 包含垂直磁化材料特性研究、微磁學模擬研究、以及元件設計與驗證。

Abstract

Device development of the perpendicular spin-torque transfer RAM (pSTT-RAM), including the material properties of perpendicular magnetization material, micromagnetic simulation, device design and the verification.

技術規格

MTJ CD≦50nm,Switching≦50ns, Vc≦0.6V,Ic≦80uA

Technical Specification

技術特色

應用範圍

IDM或記憶體製造廠商

接受技術者具備基礎建議(設備)

Lithography、Etching、PVD等

接受技術者具備基礎建議(專業)

須具半導體製造能力,或相關應用之設計能力。

技術分類

聯絡資訊

聯絡人:張順賢

電話:+886-3-5913917 或 Email:shchang@itri.org.tw

客服專線:+886-800-45-8899

傳真:+886-3-5917690

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