技術簡介
建立蘭摩爾探針、光譜激光儀及離子能量分析技術，提供電漿關鍵製程之電漿特性監測
Abstract
Develop the langmuir Probe, opticspectrum and ion energy analysis technologies to provide plasma characteristics monitoring for key plasma processes.
技術規格
電漿密度1010-1011cm-3, 電子溫度1.5-5 eV, IEDs 10-60 eV
Technical Specification
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技術特色
光電及半導體製造與封裝產業；相關電漿設備應用產業，監測及了解電漿特性，提升電漿製程穩定度
應用範圍
光電及半導體製造與封裝產業；相關電漿設備應用產業
接受技術者具備基礎建議（設備）
蘭摩爾探針、光譜激光儀及離子能量分析儀
接受技術者具備基礎建議（專業）
電漿及光電半導體設備經驗
聯絡資訊
聯絡人：張家豪 半導體設備技術組
電話：+886-3-5919330 或 Email：changch＠itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
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