技術簡介
以高頻共振能量透過氣膜輔助將碳化矽材經雷射改質或其他物理化學方法改質形成之斷續裂紋層擴張並衍伸為全面性裂紋層達成無損料之切片
Abstract
Using high-frequency resonance energy through the gas film to assist the discontinuous crack layer formed by laser modification or other physical and chemical methods to expand and extend into a comprehensive crack layer to achieve a non-destructive material slice
技術規格
驅動適當20kHz~35KHz共振能量透過經設計的振動子及氣膜將一距端面深度100~300µm之碳化矽改質區, 在不破壞物理特性情況以5~15µm微振幅機械力將改質區擴張並衍伸為全面性裂紋
Technical Specification
Drive the appropriate 20kHz~35KHz resonance energy to pass through the designed vibrator and gas film to expand a silicon carbide modification area with a depth of 100~300µm from the end face, and expand the modification area with a micro-amplitude mechanical force of 5~15µm without destroying the physical properties. and extended into a comprehensive crack
技術特色
以高頻共振能量透過氣膜輔助將碳化矽材經雷射改質或其他物理化學方法改質形成之斷續裂紋層擴張並衍伸為全面性裂紋層達成無損料之切片
應用範圍
硬脆材料切片加工
接受技術者具備基礎建議(設備)
高頻共振驅動器 ,工程模擬和3D設計軟體
接受技術者具備基礎建議(專業)
1.具基礎機械結構與振動訊號相關知識
2.具機械設計能力
3.系統整合測試"
聯絡資訊
聯絡人:呂文斌 半導體設備技術組
電話:+886-3-5918078 或 Email:itri536455@itri.org.tw
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