技術簡介
碳化矽晶錠雷射切裂製程，由於晶錠經雷射改質裂片後表面不平整，表面粗糙度會影響後續雷射改質製程之雷射光穿透進而影響改質之功效，須經研磨將表面整平後再進行後續改質製程，並導入監控與即時補償優化研磨功能
Abstract
In order to overcome the uneven surafce to affect the laser modification. The grinding process with real time compensation is added to the SiC laser slicing process.
技術規格
4"~8" SiC晶錠研磨；兩道次研磨後表面Ra＜10nm；六軸手臂傳輸移載4"~8" SiC 晶錠；
Technical Specification
技術特色
應用範圍
SIC晶片與晶錠研磨
接受技術者具備基礎建議（設備）
研磨設備、機械手臂傳輸模組、PLC控制系統、伺服控制系統
接受技術者具備基礎建議（專業）
機械、光機電整合
聯絡資訊
聯絡人：林東穎
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傳真：NA