技術簡介
建立化合物半導體(SiC)雷射改質技術，針對化合物半導體碳化矽SiC，材料硬度高且不易加工的特性，以雷射改質輔助裂片，提升裂片的品質與效率，解決目前主流的鑽石線切片技術之速度緩慢，材料損耗大等問題。
Abstract
Established laser modification technology for compound semiconductors (SiC). Improve the quality and efficiency of silicon carbide slicing with laser modification technology.
技術規格
雷射改質層厚≦100μm
Technical Specification
技術特色
應用範圍
半導體精微加工、雷射改質等設備
接受技術者具備基礎建議（設備）
雷射加工設備
雷射整形模組
聚焦鏡組
精密線性平台
控制系統
接受技術者具備基礎建議（專業）
光學、雷射製程、機械、控制
聯絡資訊
聯絡人：陳峻明
電話：+886-6-6939145 或 Email：chunmin0205＠itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：NA