技術簡介
透過超快雷射陣列掃描技術與光學設計,透過超快雷射誘發多光子分子鍵解離效應,
可藉其特性進行材料表面的移除與改質,特別適合應用在第三代化合物半導體新世代製程應用
Abstract
Through the ultrafast laser array scanning technology and optical design, the multiphoton molecular bond dissociation effect is induced by the ultrafast laser, It can be used to remove and modify the surface of the material by its characteristics, which is especially suitable for the application of the third-generation compound semiconductor in the new generation process.
技術規格
(a)Wavelength:1030 ±10nm
(b)Average Power>40W
(c)Pulse width:<800fs
(d)應用材料:Si / SiC /GaN/ 多層複合材料(Si on GaN)
Technical Specification
技術特色
應用範圍
SiC製程技術、新世代材料應用、高硬度靶材製程
接受技術者具備基礎建議(設備)
超快雷射源
聚焦鏡組
精密線性平台
陣列掃描模組
功率計
接受技術者具備基礎建議(專業)
光學、雷射製程、機械、材料
聯絡資訊
聯絡人:李益志
電話:+886-6-6939339 或 Email:Ethanlee@itri.org.tw
客服專線:+886-800-45-8899
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