技術簡介
SiC雷射改質設備系統整合技術，整合雷射光路可成功將SiC晶錠層層改質，前後站並銜接量產之裂片及研磨等設備。
Abstract
The laser modification equipment system integration technology integrated the laser light module and successfully modified SiC ingot layer by layer.
技術規格
可改質區域：300 x 300 (mm)
平台掃描速度: 400 mm/s
Technical Specification
技術特色
應用範圍
碳化矽晶碇改質裂片
接受技術者具備基礎建議（設備）
雷射源
接受技術者具備基礎建議（專業）
光學、雷射製程、機械、控制
聯絡資訊
聯絡人：林得耀
電話：+886-6-6939005 或 Email：dylin＠itri.org.tw
客服專線：+886-800-45-8899
傳真：NA