工業技術研究院

技術簡介

一種局部穿隧氧化層鈍化接觸太陽能電池及其製造方法。所述太陽能電池包括：p型矽基材，電池背面為全面n型鈍化接觸結構，其中n型多晶矽層為背射極層，電池正面電極接觸區域為局部p型鈍化接觸結構，其餘區域為表面鈍化之p型矽基材。

Abstract

A local tunnel oxide passivated contact solar cell and a method of manufacturing the same are provided. The solar cell includes a P-type silicon substrate, a full-area n-type passivated contact structure rear side and a local p-type passivated contact structure front side. The n-polysilicon layer on the rear side acts as an emitter. The area between front electrodes is silicon substrate cover with anti-reflective passivation layers.

技術規格

1. P型基材 2. 背面全面N型鈍化接觸結構，背射極為N型多晶矽層 3. 正面為搭配電極之局部P型鈍化接觸結構

Technical Specification

1. P-type silicon substrate 2. Full-area n-type passivated contact structure rear side and the n-polysilicon layer acts as an emitter. 3. Local p-type passivated contact structure front side.

技術特色

利用正面局部鈍化接觸結構降低金屬接觸區域的飽和電流密度及正面多晶矽層無效吸光效應。

應用範圍

鈍化接觸太陽電池

接受技術者具備基礎建議（設備）

現有太陽電池廠

接受技術者具備基礎建議（專業）

現有太陽電池廠

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