工業技術研究院

技術簡介

一種輻射偵測器，包括基板、形成於該基板上之像素陣列、形成於該像素陣列上且具有立方晶相之鈣鈦礦厚膜、形成於該鈣鈦礦厚膜上且與該像素陣列相對之第一電極、以及讀取電路，該輻射偵測器具有顯著降低的暗電流密度以及高的感測靈敏度。本揭露也提供了製備該鈣鈦礦厚膜之方法。

Abstract

Provided is a radiation detector, comprising a substrate, a pixel array formed on the substrate, a perovskite thick film formed on the pixel array and having a cubic crystal phase, a first electrode formed on the perovskite thick film and opposite to the pixel array, and a readout circuit. The radiation detector has significantly reduced dark current density and high sensing sensitivity. The present disclosure also provides a method for preparing the perovskite thick film.

技術規格

(中文) 鈣鈦礦X光感測膜尺寸：20*20 cm2。 X光感測法：直接式與間接式皆具備。 X光光管操作電壓範圍：20-130 kVp。 暗電流密度：0.45 ± 0.03 nA/cm2. (0.1 V/µm) 直接式感測器靈敏度：37400 µC/Gy‧cm2。 間接式感測器半高寬：＜19 nm。 感測X光時間延遲率：＜0.83％。

Technical Specification

Film size：20*20 cm2。 X-ray detection method：Direct and in-direct。 X-ray tube operate voltage：20-130 kVp。 Dark current density：0.45 ± 0.03 nA/cm2. ( 0.1 V/µm) Direct type sensitivity：37400 µC/Gy‧cm2。 In-direct type wavelength FWHM：＜19 nm。 Temporal resolution：＜0.83％。

技術特色

核心材料配方設計與開發，以鈣鈦礦量子點噴墨印刷專利技術，製作大面積直接式與間接式X光感測器，兼用可撓式基板的成膜技術，可用於醫療檢測與光電半導體非破壞性檢測市場，帶動面板產業轉型。

應用範圍

1. 各種光感測技術，如：X-ray、LiDAR等。 2. 噴墨印刷量子點技術。

接受技術者具備基礎建議（設備）

化學合成設備、噴塗印刷設備。

接受技術者具備基礎建議（專業）

材料、化學、化工、光電等相關技術人員。

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