工業技術研究院

技術簡介

高壓碳化矽閘極驅動技術主要應用於數千伏級別的高壓碳化矽開關元件，驅動電路具有高頻操作及高壓隔離的特性。為提高系統可靠度，電路具備如欠壓保護、訊號重疊保護、去飽和 (de-sat) ) 和米勒箝位保護等功能。

Abstract

The gate drive circuit is applied to KV-scaled Silicon carbide (SiC) power MOSFET devices. The drive circuit has the characteristics of high frequency operation and high voltage isolation. In order to enhance the reliability of system, critical protection functions such as under-voltage (UV), anti-overlap shoot-through conduction, de-saturation (de-sat), and Miller clamp protections are designed in the circuit.

技術規格

(1)2組3V-5V PWM輸入；(2)4-kVrms 絕緣等級；(3)閘極驅動延遲時間小於 500 ns；(4)閘極驅動上升和下降時間小於100 ns；(5)開關操作頻率範圍大於等於20kHz；(6)低電壓保護功能；(7)訊號重疊防制功能；(8)去飽和保護功能；(9)米勒箝位保護功能。

Technical Specification

(1) Two PWM input (3-5V)；(2) 4-kVrms insulation level；(3) Gate drive delay time ＜ 500 ns；(4) Rising and Falling time ＜ 100 ns；(5) Maximum switching frequency≧20kHz；(6) UV protection function；(7) Anti-overlap protection；(8) De-sat protection function；(9) Active Miller clamping protection.

技術特色

1. 4KV以上高絕緣電壓等級，可應用於3300V以上之轉換系統。 2. 提供高可靠度的多重保護機制。 3. 可快速擴充多種電壓等級之系統需求中。 4. 可彈性應用SiC、MOSFET、IGBT等多種不同型態之功率模組使用。

應用範圍

風力、儲能及電源供應器等電力電子相關應用

接受技術者具備基礎建議（設備）

電源供應器(0-24V)、示波器

接受技術者具備基礎建議（專業）

電力電子專業知識、重電/電源供應器/再生能源轉換相關開發經驗

聯絡資訊