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工業技術研究院

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工業技術與資訊月刊

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3D IC核心製程合作開發 縮減半導體開發時程

全 球首座的3D IC實驗室,預計在2010年中登場,工研院與美商應用材料公司(Applied Material)於10月中宣佈進行3D IC核心製程的客製化設備合作開發。這個彈性的開放製程平台,將整合3DIC的主流技術矽導通孔(Through-silicon Vias,TSV)製程流程,縮短積體電路及晶片開發時間,協助半導體廠商迅速地將先進晶片設計導入市場,進而大幅降低初期投資。

能夠吸引國際半導體第一大製程設備廠商的美商應材加入聯合研發,顯示工研院的研究能量受到國際肯定,以及這個研發具有前瞻及未來性。以往我國半導體產業設備僅自行開發後端零組件,前端設備多為進口,此次在3D IC開發初期就有設備開發廠商投入,表示台灣在前端設備就能掌握相關製程技術,可以為台灣半導體廠商主導3D IC關鍵製程,並為半導體產業展開另一波機會。

工研院從6年前率先投入3D IC研發,取得發展優勢。2008年成立的先進堆疊系統與應用研發聯盟(Ad-STAC),是第一個跨產業整合的立體堆疊晶片研發平台,並在經濟部工業局的支持下,全力推動技術產業化。

工研院主導的3D IC實驗室,將建構完整及多樣化的製程能力,整線系統包括蝕刻、物理氣相沉積、化學機械研磨及電漿強化化學氣相沉積四大設備,這些新設備將會用來製造與矽導通孔技術相關的積體電路。工研院與應用材料公司將針對先鑽孔、後鑽孔以及顯露鑽孔的矽導通孔製程流程做技術整合,提供最小線寬的蝕刻、最快速度的沈積、最穩定的製程研磨設備,協助聯盟會員廠商迅速地將先進的晶片設計導入市場,進而大幅降低開發時間及初期投資。

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