『您的瀏覽器不支援JavaScript功能,若網頁功能無法正常使用時,請開啟瀏覽器JavaScript狀態』

跳到主要內容區塊

工業技術研究院

:::

經濟部技術處樹立領先全球創新記憶體研發里程碑 工研院分別攜手陽明交通大學、清華大學於頂尖VLSI與IMS發表論文

日期:2023/06/15

經濟部技術處支持工研...(詳如圖說)
經濟部技術處支持工研院建立深厚前瞻記憶體研發能量,更分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學,在全球頂尖之研發會發表技術成果,持續奠定臺灣半導體在國際不可或缺的地位。

經濟部技術處推動AI人工智慧、5G與AIoT科技加速發展,支持工研院建立深厚前瞻記憶體研發能量,更分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學,在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」(Symposium on VLSI Technology and Circuits)、IEEE國際微波會議(IEEE/MTT-S International Microwave Symposium;IMS),發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻模型技術成果,適用主流先進製程所需AI高速運算能力及製程微縮需求,以高速、高效能之優勢持續奠定臺灣半導體在國際不可或缺的地位。

經濟部技術處指出,製程微縮是在半導體先進製程的重要趨勢,經濟部技術處多年前補助工研院進行前瞻技術研發,除了協助與全球頂尖學術機構合作、強化國際合作夥伴的關係,更與許多國內產學界攜手投入產業化,在國際上展現影響力。由於VLSI與IMS分別是世界頂尖的半導體與微波領域國際會議,每年與會人數達上萬人,深受全球學術界及業界重視;今年工研院與國內頂尖學府陽明交大、清華大學分別在VLSI與IMS國際會議上發表前瞻研發論文,展現臺灣在新世代記憶體與超高頻科技的深厚能量,提升國際競爭力。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示,AI人工智慧、5G 時代來臨,快速處理大量資料的需求暴增,隨著摩爾定律持續向下微縮,半導體業者開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的解決方案。由於磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)具有高寫入與讀取速度,兼具快閃記憶體非揮發性,工研院多年前從元件創新、材料突破、電路優化等方式展開研究,成功開發出國際領先的磁性記憶體與相關運算技術,更攜手學界共同發表論文,希望以前瞻創新的研發能量,在國際上持續維持競爭力。

今年工研院攜手陽明交大在VLSI共同發表新型單極化磁性記憶體Unipolar-MRAM,一般要寫入資訊必須要透過雙向電壓來控制,Unipolar-MRAM只要利用單向電壓即可存儲和讀取數據,在簡單的交點式結構(Cross-point Structure)達成高度元件微縮,不但較傳統磁性記憶體具有更高存取速度、低功耗和更長的數據保持時間,更可與既有的二極體與相關製程整合、相容,實現較以往更高的儲存密度。未來除了在物聯網設備、智慧手機、車載電子和人工智能等領域,提供高速、低功耗的數據存儲解決方案,在量子電腦、航太領域等前瞻應用更是潛力強大。

而面對B5G、6G通訊基礎建設布建及與營運,新興半導體材料氮化鎵具高頻、高功率特性,逐漸在高頻毫米波應用上成為顯學。工研院為了強化B5G、6G國產化產業鏈,多年前從磊晶上游端串聯國內基板、半導體晶圓代工、封裝與網通等業者,建立完整的產業鏈,並與清大教授徐碩鴻團隊在元件開發、自主模型建立、電路設計上合作,突破高頻電路效能,今年雙方合作在IEEE發表基於自主超高頻模型下實現110GHz振盪器電路創新成果。在0.15um的氮化鎵製程下,可達到世界最高頻110GHz振盪器記綠,且技術團隊提出的自主三端電路模型為新結構自主模型,不僅可優化業界半導體廠提供之模型,更在110GHz高頻達到極高準確度,未來將以此關鍵技術持續拓展國際合作契機。

因應5G、大數據、AI人工智慧與物聯網科技在生活中快速發展,工研院持續在半導體前瞻研發領域,推動各式創新應用發展,並擘劃2030技術策略與藍圖,在智慧化致能技術領域攜手產業,共同推動產業升級、跨域合作與產業創新應用,以創新科技創造新商機。

【新聞連絡人】

工研院行銷傳播處 詹淑雅
電話:+886-3-5917118
Email:yaya@itri.org.tw

工研院行銷傳播處 黃馨儀
電話:+886-3-5917612
Email:itriA40227@itri.org.tw



延伸閱讀