技術簡介
磁阻式隨機存取記憶體。
當晶圓代工廠要切入先進、高效能微處理器時，搭配的記憶體技術也要突破現有記憶體能。磁性記憶體（MRAM）是最高效能之新一代記憶體技術，國外大廠都已投入此技術之開發。工研院已完成第二代STT MRAM以及最先進之第三代SOT MRAM技術，打造國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系，提供廠商切入此技術核心，降低被國際大廠之箝制。
特色與創新
- 國內首例SOTMRAM與陣列晶片展示：以工研院自有專利元件結構與製程，在標準半導體製程線上與國內晶圓代工廠做整合，完成SOT MRAM single cell與陣列晶片之驗證。
- 積累SOTMRAM自有IP，國內產業之技術積累：針對SOT MRAM量產會遇到的低電流需求以及高製程可行性，提供多項專利申請。
- STT MRAM之 陣列晶片：針對不同應用需求開發出不同特性之記憶單元，可應用於非資料存儲功能。
應用與效益
上述各項研究成果已獲國際肯定，除多篇技術論文發表於國際會議國際期刊上，更接獲國內多家半導體製造廠之開發案。