工業技術研究院

技術簡介

工研院pSTT隨機存取非揮發性磁性記憶體，讀寫次數接近無窮大、讀寫速度快、與CMOS相容度高。結合etching stop on MgO製程技術以及合成式反鐵磁（Synthetic AntiFerromagnetic, SAF）參考層設計，成功解決外漏磁場增大，導致元件失效之技術瓶頸，使得垂直磁化元件得以應用於先進製程之崁入式記憶體，甚至有機會取代DRAM之高密度非揮發性記憶體，為磁性記憶體重大的突破。此外藉由製程與讀寫電路之優化，以pSTT MRAM實現高物理不可複製晶片(Physically Unclonable Function, PUF)技術，作為高高安全度金鑰之核心。在下一世代MRAM技術上，工研院針對自旋軌道轉矩式(spin-orbit torque, SOT) MRAM進行先期研究，開發出具有高量產性之新式元件結構，並針對元件操作特性作深入分析。上述各項研究成果已獲國際肯定，發表於2012 IEDM、2013 IEEE Electron Device Letters、2016 IEDM、2018 IEEE Electron Device Letters。